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碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料

文章出處:原創網責任編輯:作者:黃丹丹人氣:-發表時間:2017-12-02 13:26:00【

碳化硅基傳感器能夠彌補Si基傳感器在高溫、高壓等惡劣環境下的性能缺陷,從而擁有更廣闊的適用空間

碳化硅功率器件可使電力電子系統的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來體積、重量以及成本的大幅減低。

目前全球有超過30家公司在電力電子領域擁有對SiC、GaN相關產品的生產、設計、制造與銷售能力,并正在進行相關的SiC、GaN的技術研發。

由于能源和環境問題日益凸顯,節能環保和低碳發展逐漸成為全球共識。降低能耗、提高能源使用效率是當今世界各國節能減排的重大舉措。

以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料及功率器件被公認將成為電子電力應用的一次革命,受到世界各國政府與產業界的廣泛關注和高度重視,將成為增長潛力巨大的戰略性產業。

此文關鍵字:碳化硅

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